崗位職責：

1.研制性能世界一流，成本具有競爭性的器件及相關技術；

2.有效地設計外延及器件結構，參與器件性能的提升；

3.掌握GaAs及InP激光器制作工藝，并擁有1-2項專長；

4.參與新產品的研發、壽命、可靠性產品認證；

5.掌握器件的測試、FA等分析方法；

6.有效地分析、總結、匯報試驗及項目進展，按需要撰寫文章及專利；

7.參與或管理項目申請，試驗及報告。

任職要求：

1.半導體光電子學博士學位；

2.半導體器件設計、測試和分析能力；

3.有半導體激光器件及產品研發經驗優先；